微米缝缺陷检测
1-采用我司设备和进口设备同时进行检测；
2-我司设备可准确观测微米缝内精细结构缺陷。
微米缝缺陷检测图： 进口设备1,2,3阶太赫兹近场检测图 （ 左上/左中/ 左下） ， 我司设备4,5,6阶太赫兹近场检测图 （ 右上/右中/右下）
随着信噪比提升 ，我司设备可提供更高阶次的太赫兹近场成像 ，呈现更多细节信息
半导体失效痛点分析：
1-缺乏 — 种直接有效手段查明失效原因；
2-现有手段： 光学成像EMMI&OBIRCH、 电镜+逐层剥离、 TDR；
3-速度慢 ， 有损检测。
太赫弦优势：
1-高频信号判断失效点；
2-穿透半导体材料 ， 可以分析深层问题；
3-半导体载流子输运在太赫兹频段。
微型缺陷结构点检测： 狭缝检测的原子力形貌图和太赫兹近场图（左） ， 半导体缺陷类型 （ 右）
